2024-11-28(6116)次浏览
近红表通常界说为700-1600nm波长领域内的光线，由于硅传感器的上限约为1100nm，砷化铟镓（InGaAs）传感器是在近红表中使用的重要传感器，可覆盖典型的近红表频带 。大量使用可见光难以或无法执行的利用可通过近红表成像实现 。当使用近红表成像时，水蒸气、雾和硅等特定资料均为通明，因而红表显微检测被利用于半导体行业的各个方面 。
使用显微镜的近红表（NIR）成像可透过厚度高达650微米的硅进行成像，成为检测电子设备和半导体的一种强有力的方式 。微电子设备的典型故障分析规划要求能透过硅对电路图进行无损检测，同时维持制品的机械整合性 。
使用近红表成像的典型电子设备检测蕴含：
· 产品内部的短路检测（如烧蚀象征、压力指标）
· 键合对准（分析薄键合电路之间的对齐象征和粘结晶圆的对齐）
· 电气测试后的检测（任何类型的故障）
· 芯片败坏评估（如原料缺点、传染）
· 微电子机械系统（MEMS）检测，如粘结晶圆内的设备结构、孔洞和缺点探测以及及机遇械移动状态成像
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